作為十銓的老用戶，DDR4時代的幻鏡顏值爆表，DDR5一直沒有更新該系列，2024年5月迭代款十銓幻鏡終于來了，不僅外觀保持了超高顏值，同時也有非常強的超頻潛力。

下面分享下這組內(nèi)存的開箱測試和超頻作業(yè) ，歡迎點贊收藏打賞三連，由于平時時間有限且評論區(qū)溝通效率低，有復(fù)雜問題咨詢請單獨聯(lián)系。

? 省流總結(jié)

給懶得看完的朋友做個總結(jié)：

?? 作為迭代款，十銓幻鏡系列的顏值依舊屬于T0級別，燈區(qū)晶瑩剔透，單說顏值，就是T0級別，相信沒有異議吧。

?? 十銓幻鏡可不僅僅是顏值高，強化PIMC+十層PCB+2mm散熱馬甲，手動超頻的上限也非常高，當(dāng)然看過我之前教程的朋友都知道，得CPU+主板支持才行。

實測得給高壓才能上8000MHz，不搭配額外的內(nèi)存散熱可能會出現(xiàn)穩(wěn)定性問題，但裝風(fēng)扇就會擋顏值，如果主板一般，顏值和手動超高頻只能二選一。

如果又想要高性能又想要顏值，解決方法就是選擇御三家主板+開對應(yīng)的內(nèi)存科技，下文會有展示開啟前后的數(shù)據(jù)對比。

? 參數(shù)解析

簡單介紹一下十銓幻鏡DDR5內(nèi)存系列的具體信息：

● 最大優(yōu)勢就是終生保修，并且只換不修，放心大膽超吧。

● 目前有16G和24G兩款容量可選，頻率則都有7200MHz和7600MHz可選。

● 24G版本為3G單DIE的海力士M-DIE顆粒，16G可能是A-DIE/M-DIE隨機。

個人建議是入手24G版本，不僅僅是因為單條容量更大，同時手動超頻的寬容度也比較高。

手上這組為7200MHz的24G單條版本，具體參數(shù)如下：

● 十銓非常貼心的給了兩組預(yù)設(shè)，7200MHz適合Intel，6000MHz適合AMD（不分頻）。

● 7200MHz預(yù)設(shè)的時序為C34-42-42-84，默認運行電壓為1.4V。

● 6000MHz預(yù)設(shè)的時序為C38-38-38-78，默認運行電壓為1.25V。

老玩家看到這里應(yīng)該知道了，這么多的燈+7200MHz頻率也只需要1.40V，十銓定制的PIMC調(diào)教很不錯。

? 開箱上機

這種高顏值燈條一般燈區(qū)都很容易染上指紋，十銓在燈區(qū)上貼了防護貼，等裝完機直接撕下來就不會弄臟，這個小設(shè)計非常貼心。

十銓幻鏡DDR5內(nèi)存的霧感馬甲采用拼接設(shè)計，上半部為高導(dǎo)光率的RGB燈區(qū)，顆粒和IC所在的下半部則是追求散熱的鋁合金材質(zhì)。

燈區(qū)的設(shè)計非常創(chuàng)新，采用兩件式導(dǎo)光柱拼接而成，搭配上底部燈珠能保證不管在哪個視角都能看到柔和的燈光，并不會有廉價感。

散熱區(qū)的工藝同樣比較復(fù)雜，采用了鋁擠+CNC+噴砂處理，視覺上類似玄武巖，觸感則非常細膩且阻尼合適，兼顧美觀和實用。

基板則是高端內(nèi)存必用的10層PCB，搭配上2mm的散熱馬甲，散熱效果還是不錯的，使用7200MHz的XMP預(yù)設(shè)不需要上額外內(nèi)存散熱器。

來一張上機的近景圖，確實美如畫，透亮透亮的，下面開始進行數(shù)據(jù)測試部分。

? 測試環(huán)境

簡單列一下本次測試的環(huán)境，大家可以參考一下。

1?? 內(nèi)存丨十銓幻鏡 DDR5 24G*2 7200MHz

簡介：本文的評測品，不在贅述，直接看下文吧。

2?? CPU丨Intel i5-14600KF

簡介：這塊14600KF是小雕體質(zhì)的老演員，imc8200，建議想玩內(nèi)存超頻的朋友去小黃魚收別人測過的或者盒裝摸獎，別碰散片。

3?? 主板丨微星Z790MPOWER

簡介：內(nèi)存各項寬容度都很高的主板，雙槽確實比四槽好超頻太多，內(nèi)存性能剛需的低預(yù)算用戶推薦級別很高，打算玩手動超頻的用戶也非常推薦。

? 默頻測試

這里的默頻指套用內(nèi)存自帶的XMP預(yù)設(shè)，可以代表內(nèi)存的性能下限。

1?? 佰維DX100（Intel平臺）

開啟XMP過于簡單，開機按Del鍵進入主板的BIOS，在首頁找到XMP功能：

● Intel請選擇XMP預(yù)設(shè)1。

● AMD請選擇XMP預(yù)設(shè)2。

二三線主板在開啟XMP之后就可以保存重啟電腦了，御三家需要多開一下內(nèi)存支持。

華碩、微星和技嘉主板有額外的內(nèi)存優(yōu)化科技，這里以微星為例，跟著下圖標(biāo)注走：

● 第一步，點擊上面的模式，將BIOS切換成高級模式。

● 第二步，點擊OC，進入超頻配置頁面。

● 第三步，找到MemoryExtensionMode，切換成BenchmarkMode。

華碩和技嘉進高級設(shè)置找一下并開啟，對提升讀寫+降低延遲是有幫助的。

使用6600MHz+C34的XMP預(yù)設(shè)，內(nèi)存模式為Performance Mode，輕松過TM5的壓力測試，AIDA64測試數(shù)據(jù)如下圖所示：

● 讀取速度為104.27GB/s

● 寫入速度為108.07GB/s

● 拷貝速度為103.01GB/s

● 延遲為60.4ns

由于這里開啟了微星的Benchmark模式，所以讀寫和延遲都會有相當(dāng)大的優(yōu)化，普通主板跑不到這個數(shù)據(jù)正常的。

? 手動調(diào)試

先曬一下這對內(nèi)存手動超頻（8000MHz+C36）過測截圖，內(nèi)存模式為Benchmark Mode，AIDA64測試數(shù)據(jù)如下圖所示，整體提升在10%以上：

● 讀取速度為116.05GB/s / 對比XMP提升11.30%

● 寫入速度為123.01GB/s / 對比XMP提升13.82%

● 拷貝速度為113.80GB/s / 對比XMP提升10.47%

● 延遲為58.1ns / 對比XMP優(yōu)化3.96%

再次提醒各位，這組內(nèi)存對電壓要求比較高，除了CPU體質(zhì)+主板支持以外，內(nèi)存散熱和供電都得跟得上才能超上去。

下面分享下我的8000MHz超頻作業(yè)，大家可以參考一下，第一步修改內(nèi)存頻率，下拉找到下圖對應(yīng)的選項進行修改：

● XMP不要開，切記。

● DRAM Reference Clock修改為100MHz。

● 頻率修改為8000 G2（80x1.00）。

以上可以直接照抄，畢竟十銓幻鏡屬于高端內(nèi)存，相信搭配的CPU主板也不會差，8000MHz作為科目一一般都能穩(wěn)住。

第二步改內(nèi)存時序，同一頁面，點擊“高級內(nèi)存設(shè)定”配置頁面，修改下圖圈出來的兩類項目：

● SA GV修改為停用。

● tCL修改為38。

● tRCD、tRCDW和tRP修改為48。

● tRAS修改為58。

以上直接照抄，如果上面這組參數(shù)能穩(wěn)住，可以將tCL修改為下圖的36。

繼續(xù)下拉，修改下面的第二時序，項目太多就不水字數(shù)了，直接照抄，別偷懶，修改小參可以提升讀寫能力+降低延遲，后面就算想超8200MHz也不用改。

第三步修改內(nèi)存電壓，按esc鍵返回上一級菜單，修改下圖圈出來的四項，這里不能直接抄了：

● CPU SA電壓模式修改為Override模式。

● CPU SA電壓修改為1.30V，如果TM5報對應(yīng)錯誤，單次調(diào)整電壓±0.01V。

● CPU VDDQ電壓修改為1.40V，如果TM5報對應(yīng)錯誤，單次調(diào)整電壓±0.005V。

● CPU VDD2電壓修改為1.48V，如果TM5報對應(yīng)錯誤，單次調(diào)整電壓±0.01V。

SA電壓一般都是1.30V不用動，主要調(diào)整的是VDDQ和VDD2這兩項，需要根據(jù)你的CPU體質(zhì)來，增加/降低電壓都可以試試。

最后一步，上一步頁面進入“內(nèi)存電壓控制”頁面，修改下圖圈出來的三項：

● VDD電壓修改為1.42V，如果TM5報對應(yīng)錯誤，單次加電壓0.005V。

● VDDQ電壓修改為1.42V，如果TM5報對應(yīng)錯誤，單次加電壓0.005V。

● VPP電壓修改為1.9V，改完就不用動了。

由于十銓幻鏡DDR5內(nèi)存的燈區(qū)非常多，所以各項電壓需要給高一些，屬于正常的，并非優(yōu)化問題。

上述配置完成后，將鼠標(biāo)右移，點擊OC Profile保存一下預(yù)設(shè)，超頻失敗可以直接讀取預(yù)設(shè)節(jié)省時間，得出穩(wěn)定參數(shù)后記得進OC Profile保存一次配置。

? 本文完