最近做AMD內(nèi)容比較多，在測試學(xué)習(xí)的過程中發(fā)現(xiàn)個(gè)非常有趣的點(diǎn)，相同固態(tài)硬盤在AMD平臺上的默認(rèn)讀寫測試數(shù)據(jù)就是比Intel要好上不少，對剛需讀寫性能的游戲玩家真就AMD YES。

本著求知溯源的目的，查清楚了造成這個(gè)差異的原因，本文和大家分享一下相關(guān)理論知識與實(shí)測數(shù)據(jù)對比，歡迎點(diǎn)贊收藏打賞三連，由于平時(shí)時(shí)間有限且評論區(qū)溝通效率低，有復(fù)雜問題咨詢請單獨(dú)聯(lián)系。

? 省流總結(jié)

給懶得看完的朋友做個(gè)總結(jié)：

?? 對比同級別Intel平臺，AMD平臺除了單核主頻高+性價(jià)比高，PCIe通道的固態(tài)硬盤順序讀寫能力也會高一些，缺點(diǎn)還是對游戲不太重要的內(nèi)存效能，所以更適合游戲向裝機(jī)。

?? 本次測試了兩塊AMD平臺CPU，8700G實(shí)測是只支持256Bytes，上一代的7700X反而可以走512Bytes模式，后綴為G的系列理論上都不享受讀寫加持。

?? 本文當(dāng)做案例的佰維NV7200隨機(jī)讀寫能力比較強(qiáng)，雖然TBW是低了點(diǎn)，但勝在五年質(zhì)保且價(jià)格不貴，并且運(yùn)行溫度低，更適合寫入量不大的游戲玩家或者筆記本用戶入手。

? 原理解析

造成固態(tài)硬盤在Intel/AMD平臺性能差別的原因在PCIe通道設(shè)定上，重要參數(shù)是最大傳輸負(fù)載大小（MPS），簡單給大家總結(jié)下：

● 首先，根據(jù)計(jì)算公式，數(shù)據(jù)包傳輸效率=MPS÷（MPS+Overhead），傳輸效率高，讀寫表現(xiàn)會越好，512bytes的MPS可以提供7.5GB/s傳輸速度。

● 其次，MPS的大小遵循水桶原理，取整個(gè)傳輸鏈路中所有硬件的最小值，說人話就是CPU、主板以及固態(tài)硬盤必須都支持高M(jìn)PS才行。

具體說明可以參考下圖，節(jié)選自AMD官方提供的PCIe通道效能說明文檔。

以本次使用的兩組設(shè)備為例，走HIWINFO抓取BUS信息就能看到區(qū)別：

● Intel平臺MPS最大支持256bytes，幾乎所有型號都一樣。

● AMD平臺MPS最大支持512bytes，具體得看CPU型號。

按照上圖的公式，就算拋開不同文件系統(tǒng)的性能差異，理論上也會有著4%的性能差異，下面會分別針對空載和滿載狀態(tài)的硬盤做雙平臺對比測試。

最后給新手朋友科普一下，游戲?qū)虘B(tài)硬盤的性能關(guān)注點(diǎn)：

● 首先是延遲，正常值應(yīng)該在10ms以內(nèi)，延遲高會導(dǎo)致素材加載較慢，比較影響游戲體驗(yàn)。

● 其次是順序讀寫，3000MB/s以上就足夠了，游戲安裝包一般是大文件，有倉鼠癥的囤貨黨需要看這個(gè)，大型素材包同樣算順序讀寫。

● 最后是隨機(jī)讀寫，IOPS在600K以上為佳，常規(guī)游戲素材一般是小文件，實(shí)際游戲期間的順序讀寫比較少。

延遲和讀寫速度均可以在任務(wù)管理器中隨時(shí)查看，其中延遲是最重要的，需要看固態(tài)硬盤的整體硬件方案、固件優(yōu)化以及運(yùn)行環(huán)境溫度。

? 測試環(huán)境

簡單介紹一下本次使用的

1?? 固態(tài)硬盤丨佰維NV7200 1T

簡介：本次的核心評測品NV7200 PCIe4.0 SSD，出自于佰維存儲。佰維是國內(nèi)做存儲的頭部大廠，運(yùn)營過比較出名的品牌有惠普、宏碁、掠奪者等，目前比較出名的是宏碁存儲。佰維品牌新推出的這款NV7200性能一貫優(yōu)秀，且極具性價(jià)比，1TB售價(jià)499元，在同級別PCIe4.0型號中相當(dāng)實(shí)惠。

說回佰維NV7200本身，簡單說一下重點(diǎn)參數(shù)：

● 容量有500G、1T、2T以及4T可選，單條容量越大越好，性能和保修越好。

● 硬件方案依舊是聯(lián)蕓MAP1602+長存QLC顆粒，單面顆粒，貼紙內(nèi)置石墨烯散熱層。

● 軟件方案為HMB+SRAM融合Smart Cache技術(shù)，同時(shí)針對溫控做了單獨(dú)的算法控制。

● 保修方案依舊是年限+TBW雙標(biāo)，年限均為五年，TBW最高1600T。

本文使用的是單顆粒500G的1T版本，順序讀取速度為7200MB/s，順序?qū)懭胨俣葹?200MB/s，隨機(jī)讀取為1000K，隨機(jī)寫入為800K，TBW保修為400T，整體比較中規(guī)中矩。

除了固態(tài)硬盤本身、精密螺絲刀以及定位螺絲這些硬件以外，佰維還附贈了OEM正版的Acronis軟件，支持硬盤克隆、系統(tǒng)恢復(fù)等功能，非常實(shí)用。

2?? 對照組A丨AMD R7-7700X+七彩虹B650M戰(zhàn)列艦

簡介：其實(shí)本來想偷懶用現(xiàn)成的8700G做測試，實(shí)際用HWinFO抓去BUS信息可以看到，壓根最大MPS只有256Bytes，所以比較在意讀寫速度的朋友一定要注意CPU的選擇。

3?? 對照組B丨Intel I7-14700K+技嘉Z790小雕X

簡介：這套組合已經(jīng)算是次旗艦了，實(shí)際上固態(tài)硬盤的測試數(shù)據(jù)還是不如上面AMD中端型號組合，當(dāng)然目前Intel在售型號的收拾在于內(nèi)存效能，只能說各自有利有弊吧。

? 數(shù)據(jù)測試

下面開始進(jìn)入佰維NV7200實(shí)測環(huán)節(jié)，分別針對Intel/AMD平臺做峰值、均值以及滿盤測試，大家可以參考一下數(shù)據(jù)對比，上為AMD，下為Intel。

1?? 空盤峰值測試丨CrystalDiskMark8

這里測試佰維NV7200空載狀態(tài)的硬盤峰值數(shù)據(jù)，結(jié)果如下圖所示：

● AMD平臺的順序讀取為7172.42MB/s / Intel平臺的順序讀取為7023.66MB/s

● AMD平臺的順序?qū)懭霝?094.36MB/s / Intel平臺的順序?qū)懭霝?723.22MB/s

● AMD平臺的隨機(jī)讀取為4319.32MB/s / Intel平臺的隨機(jī)讀取為4326.07MB/s

● AMD平臺的隨機(jī)寫入為3758.03MB/s / Intel平臺的隨機(jī)寫入為3681.89MB/s

通過對比可以看到，AMD平臺的峰值順序讀寫能力要比Intel高出約2.1%，峰值隨機(jī)讀寫倒是差不多水平。

2?? 空盤均值測試丨AS SSD Benchmark

這里測試佰維NV7200空載狀態(tài)的硬盤平均數(shù)據(jù)，結(jié)果如下圖所示：

● AMD平臺的順序讀取為6112.75MB/s / Intel平臺的順序讀取為5780.89MB/s

● AMD平臺的順序?qū)懭霝?445.25MB/s / Intel平臺的順序?qū)懭霝?597.95MB/s

● AMD平臺的隨機(jī)讀取為2387.26MB/s / Intel平臺的隨機(jī)讀取為2433.28MB/s

● AMD平臺的隨機(jī)寫入為2876.95MB/s / Intel平臺的隨機(jī)寫入為2989.32MB/s

● AMD平臺的讀取響應(yīng)時(shí)間為0.021ms / Intel平臺的讀取響應(yīng)時(shí)間為0.020ms

● AMD平臺的寫入響應(yīng)時(shí)間為0.059ms / Intel平臺的寫入響應(yīng)時(shí)間為0.055ms

● AMD平臺的評測分為8086 / Intel平臺的的評測分為8252

通過對比可以看到，AMD平臺的平均順序讀取能力要比Intel高出約5.7%，寫入則是差了3.4%，平均隨機(jī)讀寫也差了1.9%。

為了比較直觀的對比，切換成IOPS標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)，轉(zhuǎn)換后的結(jié)果如下圖所示：

● AMD平臺的隨機(jī)讀取IOPS為611139 / Intel平臺的隨機(jī)讀取IOPS為622919

● AMD平臺的隨機(jī)寫入IOPS為736499 / Intel平臺的隨機(jī)寫入IOPS為765267

通過對比可以看到，不管是AMD還是Intel，佰維NV7200的平均隨機(jī)讀寫IOPS均高于600K這個(gè)商用水平線，還是不錯(cuò)的。

3?? 滿盤壓力測試丨TxBench

以上測試均為沒做任何存儲的空盤測試，所有硬盤的存儲量上去之后性能都會下降，使用TxBench將空閑率拉低至20%，結(jié)果如下圖所示：

● AMD平臺的順序讀取為3535.42MB/s / Intel平臺的順序讀取為3531.63MB/s

● AMD平臺的順序?qū)懭霝?8.30MB/s / Intel平臺的順序?qū)懭霝?00.80MB/s

● AMD平臺的讀取響應(yīng)時(shí)間為4.74ms / Intel平臺的讀取響應(yīng)時(shí)間為4.75ms

● AMD平臺的寫入響應(yīng)時(shí)間為170.67ms / Intel平臺的寫入響應(yīng)時(shí)間為166.44ms

通過對比可以看到，在低空閑率狀態(tài)，佰維NV7200的讀取性能雖然有所下降，但延遲確實(shí)沒增加太多，寫入能力則是下降的比較厲害，對游戲影響不大就是了。

4?? 高壓溫度監(jiān)控丨CrystalDiskInfo

運(yùn)行溫度也是固態(tài)硬盤的考量數(shù)據(jù)之一，固態(tài)硬盤安裝在主板的RTX4070獨(dú)顯附近，測試時(shí)室內(nèi)溫度為25°，環(huán)境為TxBench創(chuàng)建小文件期間，結(jié)果如下圖所示：

● 硬盤運(yùn)行溫度為47°，比較平穩(wěn)。

通過測試可以得出結(jié)論，即使是夏日38°高溫+靠近顯卡位置安裝，佰維NV7200的滿負(fù)載運(yùn)行溫度也會低于60°，可以放心長期運(yùn)行。

5?? 對比總結(jié)

簡單總結(jié)下以上測試得出的結(jié)論：

● 單說固態(tài)硬盤的讀寫性能，AMD并不是全面比Intel強(qiáng)，游戲場景需求的短期順序讀寫確實(shí)比較強(qiáng)，生產(chǎn)力場景需求的持續(xù)隨機(jī)讀寫則是Intel更好點(diǎn)。

● 佰維NV7200在20%的低空閑率狀態(tài)下讀取和延遲數(shù)據(jù)依舊比較穩(wěn)，寫入會慘一些，雖然對游戲影響沒那么大，但還是建議保留30%以上的空閑空間。

● 佰維對溫控調(diào)教比較亮眼，常規(guī)室溫遠(yuǎn)低于60°這條危險(xiǎn)線，長時(shí)間游戲也不會觸發(fā)高溫降速問題，可以放心使用，特別是筆記本和迷你主機(jī)，適配度特別高。

多說一句，游戲?qū)虘B(tài)硬盤的性能要求其實(shí)沒那么高，買個(gè)佰維NV7200這種性價(jià)比高+保修靠譜的就行，省下的預(yù)算花在顯卡、顯示器和鍵鼠上，體驗(yàn)會更好一些。

? 本文完