銘瑄終結(jié)者DDR4 2666超頻手記    

前言：

今年618，我將自己的臺(tái)機(jī)從i5-10400+H410的平民級(jí)升級(jí)到i5-12400+B660的中端入門，這下終于可以玩內(nèi)存超頻了。本篇將介紹分享一下銘瑄終結(jié)者DDR4 2666的超頻過(guò)程和心得，以供有興趣的朋友參考一二。

開箱外觀：

銘瑄終結(jié)者DDR4 2666馬甲條包裝盒外觀比較酷炫，正面以黑綠背景色為主，左上是品牌logo，右下則是產(chǎn)品型號(hào)名稱，左下的終身保固字樣矚目。這兩條內(nèi)存都是單條8G版，16G內(nèi)存在當(dāng)下也是比較主流的配置。

包裝盒背面則印刷著生產(chǎn)信息參數(shù)，還開了一個(gè)透明小窗，可以從這個(gè)窗口直接看到內(nèi)存條的生產(chǎn)信息參數(shù)。

這款銘瑄終結(jié)者DDR4 2666馬甲條的外觀比較潮酷，散熱馬甲外觀采用長(zhǎng)短斜坡組鈍角設(shè)計(jì)，鋁合金材質(zhì)快速導(dǎo)熱，加上斜體凹槽強(qiáng)化冷熱對(duì)流，據(jù)說(shuō)可以在重負(fù)載下降溫3-5℃。

馬甲背面是貼紙，上面有生產(chǎn)參數(shù)信息，包括序列號(hào)、存儲(chǔ)空間大小、型號(hào)等等。

再看做工，這款銘瑄終結(jié)者DDR4 2666馬甲條采用全新化學(xué)沉金工藝，耐插拔，抗信號(hào)干擾。所謂化學(xué)沉金，就是通過(guò)化學(xué)氧化還原反應(yīng)在線路板表面產(chǎn)生一層金屬鍍層。沉金工藝的好處是在印制線路時(shí)表面上沉積顏色很穩(wěn)定，光亮度很好，鍍層很平整，可焊性非常好。

銘瑄終結(jié)者DDR4 2666馬甲條的PCB線路板采用全新磨砂防焊層，電路布局合理，再加上嚴(yán)格挑選DRAM顆粒，產(chǎn)品的兼容性和穩(wěn)定性都非常好。

上機(jī)體驗(yàn)：

通過(guò)CPU-Z軟件可以得知這款銘瑄終結(jié)者DDR4 2666馬甲條內(nèi)存時(shí)序?yàn)?9-19-19-43。

用臺(tái)風(fēng)軟件查看得知它采用鎂光原廠顆粒，日期為202年1月24-1月28日。

用AIDA64測(cè)試跑分結(jié)果如上。日常使用時(shí)也沒遇到過(guò)問題。

關(guān)于超頻的一些簡(jiǎn)單知識(shí)和教程：

雖然2666Mhz頻率下日常使用沒有問題，但前面我說(shuō)過(guò)想體驗(yàn)一下超頻，那就進(jìn)入重點(diǎn)部分，超頻過(guò)程及測(cè)試。

內(nèi)存超頻，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是通過(guò)修改特定的參數(shù)，比如內(nèi)存時(shí)序和電壓，讓內(nèi)存模塊能比出廠默認(rèn)時(shí)更高的速度運(yùn)行。

內(nèi)存的性能主要取決于其工作頻率和延遲特性，工作頻率越高，內(nèi)存就可以更快地執(zhí)行數(shù)據(jù)傳輸，而時(shí)序卻是越低越好。這是因?yàn)?，每個(gè)時(shí)序都對(duì)應(yīng)一定的延遲，即操作之間的時(shí)間間隔。這個(gè)間隔越短越好。一般來(lái)說(shuō)，就對(duì)普通用戶的性能影響而言，高頻率的重要性往往超過(guò)時(shí)序。對(duì)于這款銘瑄終結(jié)者DDR4 2666馬甲條來(lái)說(shuō)，它的默認(rèn)工作頻率就是2666Mhz，那么對(duì)我來(lái)說(shuō)超頻就是將工作頻率提高。但由于內(nèi)存本身體質(zhì)限制，超頻的幅度是有限制的，一旦超出限制，可能會(huì)遇到藍(lán)屏、死機(jī)等不穩(wěn)現(xiàn)象甚至無(wú)法開機(jī)。

作為新手，英特爾? XMP技術(shù)是最安全簡(jiǎn)單的超頻方法，兼容英特爾? XMP 的內(nèi)存模塊已預(yù)先設(shè)定了最佳設(shè)置，許多主板都可以檢測(cè)到這些設(shè)置并自動(dòng)進(jìn)行應(yīng)用，而無(wú)需手動(dòng)修改頻率、時(shí)序和電壓。

不過(guò)，XMP需要手動(dòng)進(jìn)入主板BIOS后設(shè)置開啟。下面就以我這塊華碩B660重炮手wifi主板為例，介紹一下XMP開啟的步驟。

開機(jī)時(shí)快速按Delete鍵，直到進(jìn)入BIOS，此時(shí)可以看到XMP選項(xiàng)為Disabled，將它改為Enabled即可。

此時(shí)需要進(jìn)入BIOS高級(jí)模式，修改內(nèi)存頻率。

選擇并進(jìn)入Ai Tweaker選項(xiàng)

然后修改內(nèi)存頻率。此前我看這款銘瑄終結(jié)者DDR4 2666的超頻實(shí)例反饋都是到3000MHz可以正常使用，那我也超到這個(gè)水平吧。

超頻效果：

超頻后正常開機(jī)，CPU-Z讀取內(nèi)存信息也和超頻前的頻率不同，這次超頻看上去應(yīng)該成功了大半。

用AIDA64跑了次內(nèi)存與緩存測(cè)試，結(jié)果如上圖，讀寫速度相比超頻前明顯提升，幅度達(dá)到15%左右，甚至略高于頻率提升幅度，延遲更是從91ns下降到79ns。

不過(guò)，3000MHz真的是它的極限嗎？我嘗試將它超到3200MHz，并成功跑了一次測(cè)試。但這次測(cè)試結(jié)果的提升幅度就落后于頻率提升幅度了。

更讓我失望的是，3200MHz下使用不到半天就遇到了一次藍(lán)屏?？磥?lái)300MHz確實(shí)是銘瑄終結(jié)者DDR4 2666最合適的超頻頻率。

總結(jié)：

本次對(duì)銘瑄終結(jié)者DDR4 2666馬甲條的超頻總體來(lái)說(shuō)符合預(yù)期，雖然沒能更進(jìn)一步打破公認(rèn)的3000MHz頻率極限，但至少證明了它可以很輕松的達(dá)到3000MHz頻率并穩(wěn)定運(yùn)行。當(dāng)前這款內(nèi)存條價(jià)格只有160左右，很適合需要裝機(jī)的朋友。