30% 超頻幅度的 12400 ! 華碩 ROG B660-G 整機實戰(zhàn)非 K 超頻    

前言

非 K 超頻，在 6th 酷睿的時候，就曾經(jīng)流行過一陣，后面被 intel 直接強勢封殺，而且 6th 酷睿的超外頻問題多多。而很多人不知道的是 12th 酷睿剛出的時候，是可以超外頻的，而且這次超外頻方法更穩(wěn)定、更直接，對其他設(shè)備影響也較小，后面 intel 選擇冷處理它，并把非 K 超頻加了一些限制條件——必須用在 D5 主板上，這些主板不能太便宜，以防止非 K 超頻沖擊整個市場，同時也不讓廠家宣傳它。

但是隨著 AMD 這邊 Zen3 全系列降價，B2 步進(jìn) CPU 開始沖塔送人頭后，intel 默認(rèn)了非 K CPU 的超頻的推廣，不過，華碩這邊還是比較規(guī)矩的，B660-G 是目前最便宜的可以非 K 超頻的主板，這款主板隸屬于 ROG 系列，是 DDR5 插槽的。

可以超外頻的主板

▲ 嘿嘿，想不到吧，有生之年可以見到 BX60 的主板超頻，而且還是非 K 系列的 CPU 可以超頻，這次超頻的 CPU 為 12400 。

并不是所有主板都可以超外頻的，部分 Z690 主板是無法超外頻，超外頻需要主板加料——加一顆額外的外頻時鐘發(fā)生器——IDT 芯片，主板的 bios 也要做出相應(yīng)的修改，微碼也要調(diào)整。

目前華碩這邊最便宜的超外頻主板是 ROG B660-G ，隸屬于 ROG 高端系列，支持 DDR5，它的包裝盒設(shè)計明顯就比中端主力重炮手的外觀設(shè)計更加漂亮。

▲ ROG B660-G 的版型是 matx 的，做工用料一眼就感覺非常高端大氣。它的 i/o 盔甲有一部分是 mos 供電散熱的延伸，有一部分是 ARUA ARGB 展示區(qū)與 WiFi6 無線網(wǎng)卡的安放之所。

整張主板拿在手上感覺非常厚實，用料上乘，做工細(xì)致考究，全自動化流水線生產(chǎn)，品質(zhì)十分穩(wěn)定，2 個 M.2 插槽都配備了厚實的散熱片。

▲ B660-G 采用的是 8+4 pin 的 CPU 外接供電口，供電口內(nèi)置插針為實心插針。實測 8 pin 也可以超 12400 到 5.2G 過 R23，5.4G 過 CPU-Z 認(rèn)證。

我們可以看到 CPU 供電區(qū)域用料十分出色，碩大的 mos 散熱片十分厚實，并延伸至 i/o 接口處，以 ARUA ARGB 發(fā)光區(qū)域為分割線。散熱片上的圖案與線條在不同角度會有不同的鐳射光影效果。

采用 12+1 Dr.MOS 數(shù)字化 DIGI 供電模組， Vcore 每相 50A ，搭配高品質(zhì)合金電感與耐用固態(tài)電容，為 CPU 穩(wěn)定運行保駕護(hù)航。這個供電配置，12900K 都行呀。

▲ 2對 DDR5 DIMM 雙通道插槽，實測可以支持 DDR5 6000+ 的運行頻率。在內(nèi)存插槽旁邊配置了 ARUA ARGB 2.0 5V / 12V 接口。在 24pin 插槽的旁邊配置有USB 3.2 Gen2 Type C 與 USB 3.2 Gen1 Type A 的機箱前置配套插口。

▲ 我將這對金百達(dá) DDR5 16G * 2 （其實就是三星 DDR5 4800 16G *2 ）從 DDR5 4800 超到 DDR5 6048 ，能跑完所有測試，B660-G 的內(nèi)存兼容性非常出色。

而且華碩搭載的 AEMP 技術(shù)可以自動檢測內(nèi)存芯片，自動優(yōu)化頻率。實測，開啟 AEMP 會自動優(yōu)化到 DDR5 5600 C36 1.2V ，可以最大幅度的幫助用戶節(jié)省時間。

▲ 安裝上 12400 ，我們來看看主板的下半?yún)^(qū)域，2 個 M.2 PCIe 4.0 X4 NVMe 接口都有厚實的散熱片加以覆蓋。一條 PCIe 5.0 X16 主顯卡插槽可以支持未來的顯卡。此外還有 2 條 PCIe 4.0 X1 接口與 PCH 擴展的全尺寸擴展卡插槽。

▲ PCH 散熱片也非常豐富多彩。標(biāo)配 4個 SATA 6Gbps 接口，此外底部還有 2個 ARUA ARGB 2.0 5V / 12V 插針接口。

▲ 兩個 M.2 插槽分別插入雷克沙 NM760 1TB 與 NM620 1TB （作為系統(tǒng)盤），以研究非 K 超頻是否對 M.2 SSD 造成影響。華碩主板的 M.2 快速安裝卡扣十分方便，輕松做到免工具快裝、快拆，必須好評。后面再把標(biāo)配的 M.2 散熱片裝上，這些 SSD 的散熱就無需擔(dān)心。

▲ 板載 7.1 聲道集成聲卡，旁邊配置有豐富的濾波電容。

▲ i/o 接口處，標(biāo)配 HDMI 與 DP 接口，以及 4個 USB 2.0 接口，最底下的接口搭配旁邊的按鍵可以實現(xiàn)無 CPU 刷 bios，十分方便。標(biāo)配 2 個 USB 3.2 Gen 1 Type A （10Gbps）接口與 USB 3.2 Gen 2 Type A / Tpye C （20Gbps）接口各一。板載 2.5G 高速網(wǎng)口接口以及 WiFi 6 無線網(wǎng)卡，無線網(wǎng)卡需搭配配件包里的優(yōu)化天線使用。板載 7.1 聲道輸出，且聲音輸出支持 Type C 口。

▲ intel 板載 2.5G 高速網(wǎng)卡。

▲ 敗家之眼支持 ARGB 哦~~~底下還有 WiFi 6 無線網(wǎng)卡。

▲ B660-G 的配件也十分豐富，各種配件日常都需要用到，而且很多貼配件會滿足玩家展示的需求。

其他配件

顯卡

▲ 顯卡選擇影馳的 3060 星曜 OC 鎖算力版本。影馳最近的二次元濃度越來越高了呀。

▲ 影馳的 3060 星曜外觀非常有特色，透明的導(dǎo)流罩內(nèi)里用白色貼紙做底，在 RGB 點亮之后，整體流光溢彩，晶瑩剔透。

▲ 三把 RGB 風(fēng)扇，兼顧出色的散熱性能與安靜的運行噪聲，搭配上大規(guī)模的散熱塔體，能夠十分安靜、高效的為 3060 核心、顯存、供電進(jìn)行出色的散熱。

▲ 頂部的星曜 LOGO 處可以 RGB ，搭配上鉆石面可以呈現(xiàn)豐富的折射，會讓整體更加靜音璀璨。供電接口的旁邊還有 RGB 信號線，連接到主板的 12V 接口，可以實現(xiàn)整機的 RGB 同步流光溢彩。

▲ 貫通式背板，在沒有 PCB 的地方鏤空處理，以增加散熱能力。

▲ 雙 8 pin PCIe 供電接口，這樣可以最小化從 PCIe X16 插槽取電，保護(hù)主板。

▲ 導(dǎo)流罩可以非常直觀感受到晶瑩剔透。

▲ 顯示輸出接口為 1 * HDMI 2.1，3 * DP 1.4a ，最大支持 8K 分辨率。

▲ 配件包里還有其他有趣的配件，比如顯卡與主板燈效同步的信號線，以及可以導(dǎo)光的 ABS 材質(zhì)顯卡支撐架套裝，說明書、質(zhì)?？?。

▲ 因為測試 CPU 超頻前后的表現(xiàn)，需要將游戲的畫質(zhì)設(shè)定到最低，以凸顯 CPU 性能提升帶來的作用，因此我們先看影馳 3060 星曜的性能表現(xiàn)吧。

內(nèi)存

▲ 金百達(dá)的 DDR5 4800 16G 單條目前僅售 649 元，是目前最便宜的 DDR5 4800 16G。這個內(nèi)存本質(zhì)是 三星的 DDR5 4800 16G，就是真貼金百達(dá)牌的三星 DDR5 。

它的外包裝真的很簡約，正面最大的面積就是金百達(dá)的 LOGO 占據(jù)的。每個盒子一條 DDR5 4800 16G

▲ 內(nèi)里采用硬質(zhì)塑料殼加以包裹跟保護(hù)，外殼卡內(nèi)存得很緊，不會輕易掉出。

▲ 內(nèi)存條的正面是光面 PCB 這邊。上面有金百達(dá)的銘牌貼紙跟防偽鐳射光標(biāo)。

▲ 銘牌上面寫著“金百達(dá) DDR5 4800 16GB 1.1V”

▲ 翻面之后，直接顯現(xiàn)出金百達(dá)這對 DDR5 內(nèi)存條的真身——三星 DDR5 4800 16GB。因為 DDR5 內(nèi)存內(nèi)置雙通道，所以 PCB 造型上會比 DDR4 內(nèi)存更高，左右側(cè)的 DRAM 內(nèi)存顆粒分屬于兩個不同的通道，既單條即可實現(xiàn)雙通道的性能。

▲ 從顆粒到銘牌全套都表明，它就是三星 DDR5 4800 16G。

▲ 三星在內(nèi)存上的功力真的超強的，金百達(dá)這對 DDR5 內(nèi)存條標(biāo)稱 DDR5 4800，華碩 AEMP 功能可以自動超頻到 DDR5 5600 C36，手動超頻可以超頻到 DDR5 6143 40-39-39-76 ，真的非常強悍。

▲ 如果可能的話，可以買一對馬甲散熱片，自己組裝，會增加內(nèi)存的穩(wěn)定性。

SSD

▲ 這次 SSD，系統(tǒng)盤使用雷克沙 NM620 我是剛上市的時候買的，是老包裝版本，跟京東自營的新版本只是外觀差別，這么久一直用來當(dāng) intel 測試平臺的系統(tǒng)盤。此外還采用 入門級 PCIe 4.0 SSD ——雷克沙 NM760 1TB ，用來測試超超外頻對電腦其他部件的影響。

雷克沙的包裝風(fēng)格是現(xiàn)代簡約風(fēng)，在包裝盒的右下角都有標(biāo)稱理論讀取速度，這兩塊盤，一塊是 PCIe 3.0 X4 ，一塊是 PCIe 4.0 X4 ，正好涵蓋了目前市面上大部分的 SSD 。

▲ 背面都是多國語言版說明書，頂部都有標(biāo)稱讀取速度。NM620 1TB 的標(biāo)稱讀取速度是 3300MB/S，NM760 1TB 的標(biāo)稱讀取速度是 5300 MB/S。

▲ 新版本的 NM620 會跟 NM760 差不多，頂部有型號貼紙，銘牌貼紙移動到背面去。無論是 NM620 1TB 還是 NM760 1TB ，都是采用單面顆粒設(shè)計，這樣能夠最大化提高兼容性，直接利用主板標(biāo)配的 M.2 散熱片。

▲ 雷克沙 NM760 1TB 與 NM620 1TB 背面都沒有電子元器件，是光板 PCB。

▲ 我們把 NM760 1TB 的正面型號貼紙輕輕揭去，可以看到 NM760 1TB 采用的是無緩存方案，所以這款 M.2 SSD 就是主打 PCIe 4.0 X4 入門級的性價比 SSD。

▲ NM760 的主控來自 SMI 慧榮的 SM2269XT，采用最新的 12nm 制程，相比過往的主控?fù)碛懈鼮槌錾陌l(fā)熱跟功耗控制，配合上雷克沙為其搭載的智能溫度偵測與控制功能，實測比其他過往主控有更低的運行溫度，這樣能保證 SSD 長期穩(wěn)定的運行。這款主控支持 PCIe 4.0 X4 與 NVMe 1.4 協(xié)議。

▲ NM760 1TB 采用的是江波龍封裝的 longsys RC72TAA1442512G NAND 顆粒，，單顆 512GB，兩顆共 1TB 的容量，如果你對這個顆粒陌生的話，它的本質(zhì)就是大名鼎鼎，廣受好評的美光 Micron B47R 176L 的 176層 3D-TLC NAND ，標(biāo)稱 P/E 為 3000 次，這讓 SSD 擁有非常出色的使用壽命。

▲ 雷克沙 NM620 的主控來自于雷克沙自研的主控 DM620，內(nèi)部有搭載電競級智能溫控模式，可以讓使用時的發(fā)熱更低，運行更加穩(wěn)定。

▲ 輕輕揭掉 NM620 1TB 的銘牌貼紙，可以看到顆粒上印刷 29f2t08emlce，查詢應(yīng)為美光 3D TLC NAND 顆粒，江波龍購得原片后自行封裝，單顆2Tb = 256GB，4顆組成 1TB 的容量，NAND 21年13周出廠的。

▲ 完全揭掉 NM620 1TB 銘牌標(biāo)簽后，可以看到跟封面上的渲染圖基本一致。

散熱

▲ 散熱器這次用喬思伯的光影 TW6-280 白色版 ，這款散熱器可以支持 ARUA SYNC 5V 神光同步，并且它的售價不高，性價比出色。

▲ 開箱就可以看到，風(fēng)扇已經(jīng)預(yù)裝到冷排之上，好評，省去了安裝的麻煩。白色的冷排與風(fēng)扇，平添了不少顏值，冷排是標(biāo)準(zhǔn)厚度。

▲ 冷頭的頂蓋為高透光塑料，可以把冷頭在 ARGB 時更加流光溢彩。

▲ 純銅底座，鏡面效果非常出色。冷頭 ARGB 插針支持 ARUA SYNC 5V，插上即可，安裝簡單。

▲ 兩把 14025 白色 ARGB 風(fēng)扇，為中間發(fā)光的模式，風(fēng)扇采用導(dǎo)光材料，在通電之后視覺效果非常不錯。

▲ 全平臺扣具都有，包含了最新的 LGA 1700，只需按照說明書安裝即可，十分簡單。

電源

▲ 電源采用華碩的 TUF GAMING 550W 銅牌電源，這款電源支持6年換新服務(wù)，使用起來比較放心。

▲ 內(nèi)里的零配件十分豐富，有束線扎帶，魔術(shù)扎帶，AC 電源輸入線，以及 TUF GAMING 的貼紙、測試認(rèn)證書，說明書。

▲ 550B 突擊手電源是非模組線的 80PLUS 銅牌電源，采用了高品質(zhì)的電容跟電感。電源的上表面有45°倒角，既讓電源的造型更加美觀，也減少用戶割手的可能。

▲ 電源的風(fēng)扇采用 135mm 無聲風(fēng)扇，支持智能啟停技術(shù)，當(dāng)總功耗低于 30% 時，自動停轉(zhuǎn)。這把軸流風(fēng)扇的跟華碩 ROG 高端顯卡配置的風(fēng)扇是同一類型，擁有更為出色的風(fēng)壓跟風(fēng)量，同時擁有更低的運行噪音，風(fēng)扇軸承采用雙滾珠軸承，擁有更多的耐用性跟環(huán)境普適型。

▲ 電源的 TUF GAMING 550W LOGO 無論電源正面安裝都會呈現(xiàn)正向顯示。

▲ 在 AC 電源輸出端有總控開關(guān)，也有 TUF GAMING 的 logo 帖子。從通風(fēng)孔可以看到電源的內(nèi)部，官方宣稱電源的 PCB 有保護(hù)涂層，可以讓電源防止因潮濕、灰塵、碎屑引發(fā)的短路。

▲ 電源的銘牌貼紙在電源的出線端這里，可以看到 +12V 的輸出功率為 540W，足夠帶動 12400 超頻 + 3060 。

▲ 電源底部印有 TUF GAMING 。550B 突擊手有 2個 PCIe (6+2)pin 接口以及 1個 CPU 8pin 接口，十分適合 12400 / 5600 這一系列的平臺搭配 3060 / 6600 這些顯卡使用。

機箱

▲ 機箱選用華碩 的AP201 冰立方機箱 白色版，這款機箱跟市面上的中高端機箱不太一樣，沒有采用爛大街的鋼化玻璃，而是在整機的側(cè)蓋板、頂蓋板、前面板都大量采用了 1.5mm 的方形透氣孔，使得機箱的透氣性非常出色，防塵性也得到了兼顧，如果采用 ARGB 發(fā)光部件的話，在俯視角度有果凍般的視覺效果。

▲ 大規(guī)模的 1.5mm 的方形透氣孔，讓機箱更為通透，更小的透氣孔可以有效減少灰塵的進(jìn)入。

整個華碩 AP201 冰立方機箱的可拆卸面板都是采用卡扣式的，徒手就可以實現(xiàn)輕松、快速的拆裝。兩側(cè)板底部采用防跌落設(shè)計，無需擔(dān)心側(cè)面板砸到腳。

▲ 機箱的 I/O 接口區(qū)域在前面板的頂部，標(biāo)配有 USB 3.2 Gen2 Type C 接口跟 USB 3.2 Gen1 Type A 接口 2個，以及耳麥 3.5mm 同軸接口，以及帶有指示燈的電源鍵。

▲ 頂部的面板也采用大量1.5mm 的方形透氣孔，徒手拆開頂部后，內(nèi)里有 3*120 的散熱風(fēng)扇位 or 2 * 140風(fēng)扇位，可以最大兼容 280 / 360 水冷。

▲ 拆開側(cè)面板，機箱的五金架構(gòu)十分優(yōu)秀，電源可以在三個檔位進(jìn)行安裝切換，以搭配 360 水冷或者長顯卡的裝機需求。3.5 英寸硬盤的安裝位在機箱前置面板的后面，電源與硬盤倉有可拆卸的擋板加以遮擋，這樣會讓機箱內(nèi)部更加美觀。

▲ 機箱的兩處地方都有標(biāo)注 ASUS PRIME CASE，華碩大師機箱。

▲ 機箱的理線理線設(shè)計十分出色，32 mm 厚度的專門束線區(qū)域，可以輕松放下 24pin + PCIe 2*（6+2） pin 的電源線，以及其他信號線，而機箱背板與側(cè)面板之間的間隙也可以十分輕松地安裝 2.5 英寸硬盤，也能適當(dāng)?shù)牟季€、藏線。

▲ 小機箱的安裝需要多多參考說明書，以獲得更好的安裝體驗。白色機箱標(biāo)配的螺絲是銀色跟白色的束線帶，這樣就會和白色機箱比較搭。

裝機成品圖

▲ 首先將 CPU、內(nèi)存條、SSD 裝到主板上，然后準(zhǔn)備將主板組合體裝到機箱上。

▲ 剩下就是把電源、散熱器、顯卡裝入。安裝完成后我們可以看到華碩 AP201 冰立方機箱的兼容十分出色，就算是影馳 3060 星曜跟喬思伯 280 水冷都能裝入，并且內(nèi)部空間還有足夠的裕量。

底部也可以再裝兩個 12025 / 14025 散熱風(fēng)扇以增強機箱散熱。

▲ 換個角度欣賞下這臺機箱測試 12400 超外頻的主機，我們即將點亮看看裝機成果啦。

流光溢彩

▲ 喬思伯光影 TW6-280 白色版，在開啟 ARUA SYNC 時會呈現(xiàn)彩虹波的視覺效果。如果是普通的鋼化玻璃機箱會挺漂亮的，但是在冰立方 AP201 機箱內(nèi)，會容易形成雜亂無章的視覺效果。

▲ 當(dāng)開啟奧創(chuàng)中心，將所有 ARUA ARGB 整合在一起，實現(xiàn)一個發(fā)光整體后。蓋上華碩冰立方 AP201 的側(cè)面板后，在頂部俯視視角，會有不同于鋼化玻璃側(cè)透板的視覺效果。

▲ 整個機箱很有果凍般的觀感，隨著角度的變幻，光影區(qū)域因入射人眼的角度不同，而呈現(xiàn)不通電顏色分層效果。

▲ 而且這個 ARGB 效果比起鋼化玻璃更加柔和不刺眼。

▲ 好了我們開始測試 12400 默認(rèn)與超頻的性能表現(xiàn)吧。

B660-G 超外頻教程

CPU 超頻部分

▲ 開機按 “DEL” 鍵進(jìn)入系統(tǒng)，按 "F7" 進(jìn)入高級模式,來到 "Ai Tweaker" 頁面，

選擇 "Ai 智能超頻-手動",在下面的 "BLCK 頻率--設(shè)定想要的外頻 130"，

"內(nèi)存頻率-- （白色頻率）" 這樣就可以最大化利用 XMP 的小參數(shù),自己只需修改小部分。

接著選擇 "CPU 核心倍率——Sync All Core"，這樣就能對全核心進(jìn)行超頻

在下面的 "All Core Ratio Limit—— 40" 這表示系統(tǒng)中 12400 運行的最大倍頻是 40 倍頻。CPU 的頻率 = 外頻 X 倍頻。 如果是 135 外頻 * 40 = 5.4G， 130 外頻 * 40 = 5.2 G 。

▲ 接著選擇 "Ai Tweaker" 界面下的 "DIGI + VRM" 選項，進(jìn)入"DIGI + VRM" 子界面。

選擇 "CPU 負(fù)載線校正"—— "Lever 6" 這是 CPU 的負(fù)載線防掉壓等級，超越高，開越高，以防止高負(fù)載掉電壓，引發(fā)電腦藍(lán)屏、重啟。

"CPU 電流容量"——"130%"

"CPU VRM 切換頻率"——"手動"

"VRM 固定頻率模式"——"500"

"CPU 供電相數(shù)控制"——"極致"

"CPU 供電相位控制"——"極致"

▲ 退出 "DIGI + VRM" 子界面，來到 "Ai Tweaker" 界面下，繼續(xù)往下翻頁，來到：

"CPU 緩存最小倍頻"—— 31~33，友情提醒，如果外頻設(shè)置超過 135 ，請自覺設(shè)置為 32 或者更低。

"MAX CPU Cache Ratio"—— 31~33 ，CPU 緩存最小倍頻，跟上面的一樣設(shè)置，這兩個是 CPU L3 的頻率，俗稱 Ring 頻率，12代酷睿的 Ring 穩(wěn)定頻率在 4.1~4.3G ，因體質(zhì)而異。

"Actual VRM Core Voltage"——"Manual Mode" CPU 電壓設(shè)定，手動給定模式。

"- CPU 核心電壓覆寫"——1.39V 1.4V 以下，B660-G 認(rèn)為是安全電壓，1.4V 以上 會顯示黃色提醒，此電壓長期使用會有風(fēng)險哈。

如果不超內(nèi)存，只要調(diào)整合適的內(nèi)存頻率后，按 F10 保存即可。如果超內(nèi)存，就煩請往下繼續(xù)翻。第一次應(yīng)用新設(shè)置的過程比較漫長，自檢大概需要半分鐘以上，請耐心等待。

內(nèi)存超頻部分

▲ 首先開啟 XMP ，讓主板讀取 XMP，減少調(diào)整內(nèi)存的工作量，在"Ai Tweaker" 界面下調(diào)整內(nèi)存頻率至 ""，這個頻率會隨著 CPU 外頻的變動而變動。

然后進(jìn)入"內(nèi)存時序控制"子界面，金百達(dá)（三星） DDR4 4800 16G * 2，目前網(wǎng)友實測是可以 DDR5 6000 40-40-40-77 1.25V，我實測是可以 39-39-39-76 1.25V，但是為了防止因為內(nèi)存藍(lán)屏而誤判，我選擇放大時序，這個時序最終讓我嘗試超頻至 DDR5 6143，并通過了 Aida 64 的內(nèi)存與緩存測試。

▲ 最后，內(nèi)存電壓設(shè)置為 1.25V。

按 F10 保存設(shè)置并重啟。第一次應(yīng)用新設(shè)置的過程比較漫長，自檢大概需要半分鐘以上，請耐心等待。

超頻前后性能對比

▲ 首先是 12400 默頻——100 外頻項目測試，此時開啟華碩的 AEMP 技術(shù)，將這對金百達(dá)自動超頻至 DDR5 5600 36-36-36-77 1.35V。

▲ 作為對比是將 CPU 外頻超頻至 135，此時 CPU 核心頻率為 5.4G，內(nèi)存頻率為 DDR5 5940 40-39-39-76。

▲ 將成績進(jìn)行匯總并做出數(shù)據(jù)分析，可以看到 CPU-Z 的測試得分跟 CPU 外頻正相關(guān)，CPU 外頻拉升至 135 時，多核心性能提升了 34.8%，單核心也提升了 29.4%

▲ 因為我這顆 CPU 體質(zhì)問題，無法 135 外頻過國際象棋測試，一路藍(lán)屏后，最終只能 132 外頻過國際象棋測試，可以看到 132 外頻的 12400 + DDR5 6028 比起默頻，在分支預(yù)測能力上提升了 21.3%。

▲ R15 測試負(fù)載更重，132 外頻的 12400 也無法穩(wěn)定運行測試，一路藍(lán)屏后，最終外頻穩(wěn)定在 130，核心頻率 5.2G 過了 R15 測試，后續(xù)基本的測試項目都是以 130 外頻，40倍頻過測試的。

▲ Cinbench R15 多核心項目上，超頻至 130 外頻 5.2G 核心頻率的 12400 + DDR5 5980，比起默頻提升了 31.3%，單核心性能也提升了 20.7%。

▲ 后續(xù)為了篇幅，只上傳超頻至 130 外頻，5.2G 核心頻率的 12400 測試成績，以及匯總對比表格，方便查看，反正默認(rèn)成績大家基本上都清楚，我們只看超頻后的成績跟對比吧。

▲ R20 測試結(jié)果比起 R15 超頻帶來的提升增益略有縮減，5.2G 的 12400 + DDR5 5980 多核心性能領(lǐng)先默頻 25.8%，單核心領(lǐng)先默頻 21.8%。

▲ R23 項目比起 R20 項目，超頻至 130 外頻 5.2G CPU 核心頻率的 12400 + DDR5 5980 比起默頻，多核心的性能提升衰減略多，只比起默頻提升 9.1%，單核心提升幅度維持原先的 20% 左右的水平，為 19.6%。

當(dāng)然，可能的情況是，R23 測試壓力大，測試時間較長，我的 CPU 散熱器不夠好，影響到了超頻 5.2G 的 12400 的發(fā)揮。

▲ 3Dmark 的 CPU Profire 是 CPU 的性能專項測試。可以看到，單線程的項目下 5.2G 的 12400 + DDR5 5980 比起默頻提升幅度為 22.3%，8線程 以上性能提升幅度 ＞30% 。

▲ 3Dmark Fire Strike 是 DX11 1080P 分辨率級別的測試，CPU 測試分?jǐn)?shù)占總分比率較高。5.2G 的 12400 + DDR5 5980 比起默頻在 CPU 項目上高了 27.4%，綜合性能提升 3~5% ，顯卡分?jǐn)?shù)可能遇到了測試誤差（根據(jù)其他成績進(jìn)行的綜合判斷）。

▲ 3Dmark Fire Strike Extreme 是 2K 分辨率級別的 DX11 項目測試，測試壓力更大，CPU 項目上，超頻至 5.2G 的 12400 + DDR5 5980 領(lǐng)先默頻 27.3%，但高頻率的 CPU 會給整體性能帶來 1.6% 的提升。

▲ 3Dmark Fire Strike Ultra 是 4K 分辨率級別的 DX11 項目測試，CPU 項目上，超頻后的 12400 + DDR5 5980 領(lǐng)先維持原先的幅度，超頻 CPU為整機帶來的綜合性能提升大概在 1%。

▲ 3Dmkar Time Spy 項目雖然是 2K 分辨率的 DX12 項目測試，但是 CPU 的性能還是會更多的影響到總體的性能評定。超頻至 130外頻 5.2G 全核心頻率的 12400 + DDR5 5980 在 CPU 項目上提升 23%，總體性能提升 2.7%，高頻 CPU 會帶來些許的顯卡性能提升，但是不太多.........

▲ 3Dmkar Time Spy Extreme 是 4K 分辨率級別的測試，沒想到呀，在 3Dmark 這一系列顯卡項目測試?yán)?，竟然是測試最嚴(yán)苛的 TSE 項目超頻帶來的增益最大.......當(dāng)然，原因可能是高頻 CPU 完全釋放了 3060 的性能。

▲ 3Dmkar Port Royal 項目測試表明——光追性能目前與 CPU 性能關(guān)系不大..........

▲ 而游戲測試表明.....超頻至 130 外頻，全核心 5.2G + DDR5 5980 的超頻組對于游戲的提升.....并不大....因為目前游戲除非多開，不然邊際效應(yīng)遞減很容易顯現(xiàn)出來。

其次可以發(fā)現(xiàn)這一代的 CPU 外頻已經(jīng)跟總線頻率脫鉤了，外頻除了對 CPU 本身，以及內(nèi)存有影響。當(dāng)然內(nèi)存有影響也是因為 CPU 集成了內(nèi)存控制器.........

▲ 我們來橫向?qū)Ρ壤卓松?NM760 1TB 在默頻與 130 外頻全核心 5.2G 時的性能對比。可以發(fā)現(xiàn)，更高的 CPU 頻率會讓 NM760 1TB 的性能完全發(fā)揮出來，特別是隨機 4K 讀寫連續(xù)性能測試，提升了 500MB/S，直接跨過了 PCIe 3.0 的天花板。

整體而言，無論超頻前后，NM760 1TB 都保持著連續(xù)讀寫性能上 PCIe 4.0 X4 的表現(xiàn)水平，連續(xù)讀取速度趨近于 5300MB/S，連續(xù)寫入速度大于 4500 MB/S。

▲ 對于 64GiB 大測試快而言，超頻至 130 外頻 5.2G 全核心頻率的 12400 ，對大測試塊性能的連續(xù)寫入提升非常明顯，直接從 3700MB/S 提升到 4500 MB/S ，更高的頻率能讓 PCIe 4.0 X4 SSD擁有更為出色的重壓抗載荷能力，能夠在重載荷的使用的情況下，擁有更出色的表現(xiàn)性能。

▲ 至于雷克沙 NM620 1TB 的讀寫性能，更多的表現(xiàn)為穩(wěn)定性，所以 NM620 1TB 更適應(yīng)于老平臺升級的用戶使用，能夠獲得更為出色的性價比。

▲ 金百達(dá)（三星） DDR5 4800 16G * 2 XMP DDR4 4800 C36 的 內(nèi)存讀寫性能，DDR5 比起 DDR4 更高的內(nèi)存讀、寫、復(fù)制性能毫無意外的表現(xiàn)了出來。

▲ 利用華碩的 AEMP 技術(shù)，自動對內(nèi)存進(jìn)行超頻，得到了 DDR5 5600 36-36-36-77 1.25V 的給定參數(shù)，此時內(nèi)存的讀、寫、復(fù)制性能進(jìn)一步提升，內(nèi)存的延遲比起 XMP 默認(rèn)更低。

▲ 在 12400 默頻的狀態(tài)下，將金百達(dá)這對 DDR5 超頻至 DDR5 6133 40-39-39-77 1.25V，我們來測試下此時的內(nèi)存及緩存性能，作為后面提升外頻的參考對比。

▲ 當(dāng) CPU 外頻是 135 時，39倍頻 全核心頻率在 5.265G 左右的 12400,此時合理調(diào)整內(nèi)存頻率，最終達(dá)到 DDR5 6119 40-39-39-77 1.25V 這一手動給定參數(shù)。更高的 CPU 外頻與全核心頻率，讓 L1 的讀寫速度更快，疊加更高的 DDR5 頻率，這讓這對金百達(dá) DDR5 內(nèi)存條的讀取、寫入、復(fù)制速度突破了 10萬MB/S 的大關(guān)，這個速度比 12900K + Z690 的平臺測試得到結(jié)果還高！延遲也大幅度的降低！

所以對于內(nèi)存需求比較大的專業(yè)類場景，在更高 CPU 外頻與頻率會獲得非常大的使用提升。

溫度與噪音測試

▲ 利用 aida64 單鉤 FPU 對 12400 默頻 進(jìn)行壓力測試的同時，用 Furmark 對影馳 3060 星曜進(jìn)行顯卡壓力測試，測試時間大概是 14~15 分鐘，測試過程中，保持華碩冰立方 AP201 機箱所有蓋板都關(guān)閉。最后進(jìn)行匯總對比。

▲ 分別測試記錄裝上蓋板與敞開式的平均噪音

▲ 最后通過匯總表格對比可以看到華碩的冰立方 AP201 機箱就算只安裝一個后置風(fēng)扇的情況下，散熱性能也十分出色，裝上所有側(cè)蓋板之后，仍保持非常出色的散熱性能，這樣能保證機箱內(nèi)零部件散熱的同時降低運行噪音，讓用戶獲得冷又靜的使用體驗。

總結(jié)

一番測試下來，我知道為什么 intel 會將非 K 超頻加了那么多限制條件，因為一旦非 K 超頻沒有限制的話，非 K CPU 超頻提升幅度明顯比 K 系列的超頻幅度大，這讓丐版 Z690 + 12600K(F） 套裝還怎么賣？

長久以來超頻高手的經(jīng)驗，以及我們測試最后也證明了，超外頻的收益比超倍頻更大，這會讓 12700 秒殺 12700K（F）， 12400（F） 、12490F 秒殺 12600K（F）。特別是 12400，本身沒有小核，通用型更高，最為關(guān)鍵的是，這一套算下來 12400(F） + 華碩 ROG B660-G + DDR5 4800 16G*2 的套裝甚至比 12600K（F） + Z690 + DDR4 3600 16G*2 的價格更便宜，超頻比例還更高，超頻帶來的提升也更明顯。

最后，我個人判斷，12400F 的超頻潛力可能會更大，因為它沒有核顯，理論上能上更高的外頻，12490F 情況未知。

最最最后必須提醒一句——超頻有風(fēng)險，操作需謹(jǐn)慎，散熱要做好！